南阳空压机租赁公司亿思达了解到，2023年11月10日，合盛硅业成立内蒙古赛盛新材料有限公司，其年产800吨电子级碳化硅颗粒材料及60万片碳化硅切割片项目在内蒙古呼和浩特发改委备案。新建生产厂房3幢及配电房、空压站、库房等，占地面积约190亩，项目投资额约20亿元，均为自有资金，计划建设起止年限为2023年11月至2025年11月。

　　基于产业链优势，合盛硅业进一步拓展硅基新材料的布局：公司已掌握碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及晶片外延等全产业链核心工艺技术，突破了关键材料(多孔石墨、涂层材料)和装备的技术壁垒。

　　2023年5月公告，合盛硅业子公司合盛新材2万片宽禁带半导体碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收，并具备量产能力，6英寸晶体良率达到90%，外延片良率达到95%;产品得到市场的积极反馈，合盛新材的6英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证，并顺利开发了日韩、欧美客户，同时合盛新材8英寸衬底研发顺利，已经实现了量产。

　　第三代半导体的明日之星——SiC

　　SiC作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业，万众瞩目。

　　相比于第一代和第二代半导体材料，SiC具有一系列优良的物理化学特性，除了禁带宽度，还具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点。SiC器件在低功耗、小型化和高频的应用场景中具有极大的优势。

　　新能源汽车800V平台架构成为高压快充的重要解决方案，在800V甚至更高水平的平台上，高压快充下硅基IGBT芯片材料达到极限，而具备耐高压、耐高温、高频等优势的SiC器件为最佳解决方案。随着下游SiC车用渗透率不断提升&单车用量提升，预计到2025年6寸碳化硅衬底新增市场空间约380亿元，2023-2025年复合年均增长率(CAGR)为78%。

　　目前碳化硅衬底产业呈现美国企业全球独大的格局，提高碳化硅衬底材料的国产化率、实现进口替代是我国半导体行业亟需突破的产业瓶颈，合盛硅业研发成功后，可以进一步推动碳化硅工艺技术进步，实现进口替代，保障第三代半导体材料的可持续发展。